LVDT位移传感器产生零残电压是什么原因？

LVDT位移传感器采用差动变压器式结构，两个次级线圈采用反向串联的方式连接，输出与铁芯位移量存在一定线性关系的电压值。当在初级线圈绕组加上适当的激励电压，移动铁芯位置会在两个次级线圈绕组中相应地产生感应电动势。不过在LVDT位移传感器的使用中，有时会出现零残电压的情况，那么LVDT位移传感器产生零残电压是什么原因呢？

LVDT位移传感器产生零残电压是什么原因？

LVDT位移传感器产生零残电压的主要原因有：

由于两个次级绕组线圈的几何尺寸和电气参数不对称，气隙不均匀，致使产生的感应电动势幅值不相等，相位不同。

由于磁性材料的磁化曲线具有非线性，磁路也具有不对称性(这也是LVDT位移传感器可能输出高次谐波的主要原因)。

零残电压对LVDT位移传感器的影响主要有：

传感器输出特性在零点位置附近不灵敏，限制了位移传感器分辨率的提高;

如果传感器零残电压太大，会大幅影响位移传感器的线性精度，也会使传感器的灵敏度大幅下降。

为了减小LVDT位移传感器的零残电压，线圈绕制过程中药尽量保证初级线圈与次级线圈结构的均匀与对称;次级线圈磁路的对称;铁芯选材应确保材质均匀，经热处理改善型材的机械性能和磁性;设计有效的电路补偿。补偿电路形式很多，常见的有：电阻串联，电阻并联，电容并联，外加反馈绕组或反馈电容等，是一种简单有效的方法。